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Annealing ambient on the evolution of He-induced voids in silicon
Veröffentlicht in Applied surface science
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Effects of annealing temperature on buried oxide precipitates in He and O co-implanted Si
Veröffentlicht in Vacuum
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Luminescence and Defect Study of Ce3+-Doped Lu3Al5O12 Phosphors
Veröffentlicht in Materials science forum
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