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    A new silane-ammonia surface passivation technology for realizing inversion-type surface-channel GaAs N-MOSFET with 160 nm gate length and high-quality metal-gate/high-k dielectric stack

    A new silane-ammonia surface passivation technology for realizing inversion-type surface-channel GaAs N-MOSFET with 160 nm gate length and high-quality metal-gate/high-k dielectric... von Hock-Chun Chin, Ming Zhu, Zhi-Chien Lee, Xinke Liu, Kian-Ming Tan, Hock Koon Lee, Luping Shi, Lei-Jun Tang, Chih-Hang Tung, Guo-Qiang Lo, Leng-Seow Tan, Yee-Chia Yeo


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