High-quality homoepitaxial layers grown on 4H-SiC at a high growth rate by vertical LPCVD von 吴海雷 孙国胜 杨挺 闫果果 王雷 赵万顺 刘兴昉 曾一平 温家良

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Chloride-based fast homoepitaxial growth of 4H-SiC films in a vertical hot-wall CVD von 闫果果 张峰 钮应喜 杨霏 刘兴昉 王雷 赵万顺 孙国胜 曾一平

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Effect of annealing process on the surface roughness in multiple Al implanted 4H-SiC von 吴海雷 孙国胜 杨挺 闫果果 王雷 赵万顺 刘兴昉 曾一平 温家良

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Multi-wafer 3C-SiC thin films grown on Si (100) in a vertical HWLPCVD reactor von Yan, Guoguo (果果 闫), Sun, Guosheng (国胜 孙), Wu, Hailei (海雷 吴), Wang, Lei (雷王), Zhao, Wanshun (万顺 赵), Liu, Xingfang (兴昉 刘), Zeng, Yiping (一平 曾), Wen, Jialiang (家良 温)

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Epitaxial growth on 4H-SiC by TCS as a silicon precursor von 纪刚 孙国胜 刘兴昉 王雷 赵万顺 曾一平 李晋闽

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间歇性禁食法在糖尿病前期及糖尿病病人中的应用进展 von 李帆, 贾万顺, 赵林林, 王亚男, 马慧玲, 刘怡含, 刘化侠

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压电驱动型微纳米压痕测试装置的设计与试验研究 von 黄虎 赵宏伟 史成利 杨兆军 万顺光 耿春阳 米杰

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谈投资体制与金融配套改革 von 赵吉国 姚万顺

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