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Ultra-wide bandgap semiconductor Ga2O3 power diodes
Veröffentlicht in Nature communications
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Predicting Plant Growth from Time-Series Data Using Deep Learning
Veröffentlicht in Remote sensing (Basel, Switzerland)
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A High-Performance Gate Engineered InGaN Dopingless Tunnel FET
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Diamond Field Effect Transistors With MoO3 Gate Dielectric
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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