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Investigation of resistive switching behaviours in WO3-based RRAM devices
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A 4.69-W/mm output power density InAlN/GaN HEMT grown on sapphire substrate
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Reversible and Reproducible Giant Universal Electroresistance Effect
Veröffentlicht in Chinese physics letters
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Trimeric Hydrogen Bond in Geometrically Frustrated Hydroxyl Cobalt Halogenides
Veröffentlicht in Chinese physics letters
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Bubble acoustical scattering cross section under multi-frequency acoustic excitation
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Boron diffusion in bcc-Fe studied by first-principles calculations
Veröffentlicht in Chinese physics B
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