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Homoepitaxial GaN terahertz planar Schottky barrier diodes
Veröffentlicht in Journal of physics. D, Applied physics
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High-Power 300 GHz Solid-State Source Chain Based on GaN Doublers
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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GaN-Based Frequency Doubler With Pulsed Output Power Over 1 W at 216 GHz
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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GaN planar Schottky barrier diode with cut-off frequency of 902 GHz
Veröffentlicht in Electronics letters
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Photoluminescence of colloidal YVO4:Eu/SiO2 core/shell nanocrystals
Veröffentlicht in Optics communications
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