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Total Dose Effects in Tunnel-Diode Body-Contact SOI nMOSFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on nuclear science
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TDBC SOI technology to suppress floating body effect in PD SOI p-MOSFETs
Veröffentlicht in Electronics letters
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Asymmetric Underlap in Scaled Floating Body Cell Memories
Veröffentlicht in Chinese physics letters
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Gate-to-body tunneling current model for silicon-on-insulator MOSFETs
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Compact Model for Tunnel Diode Body Contact SOI n-MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Impact of back-gate bias on the hysteresis effect in partially depleted SOI MOSFETs
Veröffentlicht in Chinese physics B
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SRAM cell with asymmetric pass-gate nMOSFETs for embedded memory applications
Veröffentlicht in Electronics letters
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Floating body gate cell with fast write speed for embedded memory applications
Veröffentlicht in Electronics letters
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