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Effects of antimony (Sb) on electron trapping near SiO2/4H-SiC interfaces
Veröffentlicht in Journal of applied physics
VolltextArtikel -
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Deep level defects in n-type GaAsBi and GaAs grown at low temperatures
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Deep level defects in GaAs1−xBix/GaAs heterostructures
Veröffentlicht in Semiconductor science and technology
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