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Normally-Off p-Gate Transistor Based on AlGaN/GaN Heterostructures
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Simulation of a Normally-off HEMT Transistor Based on a GaN/AlGaN with a p-Gate
Veröffentlicht in Russian microelectronics
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Ohmic contacts to n-type 4H- and 6H-SiC
Veröffentlicht in Journal of physics. Conference series
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Developing of normally-off p-GaN gate HEMT
Veröffentlicht in Journal of physics. Conference series
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