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Electroresistance effect in MoS2-Hf0.5Zr0.5O2 heterojunctions
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Flexible HfO2-based ferroelectric memristor
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Electron transport across ultrathin ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 films on Si
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
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Process model of digital manufacturing
Veröffentlicht in Russian engineering research
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Informational model of digital manufacturing (ISA-95 standard)
Veröffentlicht in Russian engineering research
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