Polarization effect of Schottky-barrier CdTe semiconductor detectors after electron irradiation von Sedlačková, Katarína, Zaťko, Bohumír, Šagátová, Andrea, Nečas, Vladimír

Volltext

High-resolution alpha-particle detector based on Schottky barrier 4H-SiC detector operated at elevated temperatures up to 500 °C von Gál, Norbert, Hrubčín, Ladislav, Šagátová, Andrea, Vanko, Gabriel, Kováčová, Eva, Zaťko, Bohumír

Volltext

Current-voltage characterization of GaAs detectors and their holders irradiated by high-energy electrons von Sagatova, Andrea, Kovacova, Eva, Novak, Andrej, Fulop, Marko, Zatko, Bohumir

Volltext

Study of Schottky barrier detectors based on a high quality 4H-SiC epitaxial layer with different thickness von Zaťko, Bohumír, Hrubčín, Ladislav, Šagátová, Andrea, Osvald, Jozef, Boháček, Pavol, Kováčová, Eva, Halahovets, Yuriy, Rozov, Sergey V., Sandukovskij, V.G.

Volltext

Influence of base material thickness on spectrometry of semiconductor detectors based on semi-insulating GaAs von Šagátová, Andrea, Kurucová, Nikola, Kotorová, Soňa, Kováčová, Eva, Zaťko, Bohumír

Volltext

Conversion of fast neutrons for neutron radiography with TPX2 detector von Šagátová, Andrea, Fülöp, Marko, Novák, Andrej, Vrban, Branislav, Lüley, Jakub, Čerba, Štefan, Benkovský, Ivan, Zaťko, Bohumír

Volltext

Influence of SiON interlayer on the diamond/GaN heterostructures studied by Raman and SIMS measurements von Izsák, Tibor, Vanko, Gabriel, Babčenko, Oleg, Vincze, Andrej, Vojs, Marián, Zaťko, Bohumír, Kromka, Alexander

Volltext

Spectrometric performance of 4H-SiC detectors after neutron irradiation von Zaťko, Bohumír, Hrubčín, Ladislav, Boháček, Pavol, Gurov, Yurij Borisovič, Rozov, Sergej Vladimirovič, Evseev, Sergej Alexandrovič, Bulavin, Maxim Viktorovič, Zamiatin, Nikolaj Ivanovič, Kopylov, Yurij Andrejevič, Sekáčová, Mária, Kováčová, Eva

Volltext

Detection of fast neutrons using 4H-SiC radiation detectors von Zaťko, Bohumír, Šagátová, Andrea, Kováčová, Eva, Novák, Andrej, Sýkora, Rudolf, Kohout, Zdeněk, Polansky, Štepán

Volltext

From single GaAs detector to sensor for radiation imaging camera von Šagátová, Andrea, Zaťko, Bohumír, Nečas, Vladimír, Dubecký, František, Ly Anh, Tu, Sedlačková, Katarína, Boháček, Pavol, Zápražný, Zdenko

Volltext

Alpha-spectrometry by radiation-degraded semi-insulating GaAs detectors von Šagátová, Andrea, Kováčová, Eva, Novák, Andrej, Nečas, Vladimír, Zaťko, Bohumír

Volltext

Spectrometry of electron irradiated cdTe Schottky-barrier semiconductor detectors before polarization onset von Sedlačková, Katarína, Zaťko, Bohumír, Nečas, Vladimír

Volltext

Monte Carlo simulations of the particle transport in semiconductor detectors of fast neutrons von Sedlačková, Katarína, Zaťko, Bohumír, Šagátová, Andrea, Nečas, Vladimír

Volltext

Analysis of CdTe detectors using I-V characteristics von Kotorová, Soňa, Šagátová, Andrea, Zaťko, Bohumír

Volltext

Silicon radiation detectors with rectifier junction prepared by different technological procedures von Hrubčín Ladislav, Zaťko Bohumír, Kováčová, Eva

Volltext

Influence of quasi-ohmic electrode on performance of semi-insulting GaAs detectors von Kurucová, Nikola, Šagátová, Andrea, Kováčová, Eva, Zaťko, Bohumír

Volltext

Development and evaluation of semi-insulating GaAs detectors in hot plasmas diagnostics von Zaťko, Bohumír, Dubecký, František, Boháček, Pavol, Huran, Jozef, Nečas, Vladimír, Ryć, Leszek

Volltext

A study of particle detectors based on single crystal diamond substrate von Zaťko, Bohumír, Varga, Marian, Kováčová, Eva, Šagátová, Andrea

Volltext

Electrical properties study of the 4H-SiC detectors based on thick epitaxial layer von Šagátová, Andrea, Hrubčín, Ladislav, Kurucová, Nikola, Nečas, Vladimír, Kováčová, Eva, Evseev, Sergej Alexandrovič, Zaťko, Bohumír

Volltext

Polycrystalline CVD diamond-based structures for detection of charged particles von Zaťko, Bohumír, Varga, Marián, Vanko, Gabriel, Izsák, Tibor, Šagátová, Andrea, Kromka, Alexander

Volltext