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GeSn p-i-n photodetectors with GeSn layer grown by magnetron sputtering epitaxy
Veröffentlicht in Applied physics letters
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GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection
Veröffentlicht in Optics express
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Growth of high-Sn content (28%) GeSn alloy films by sputtering epitaxy
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Recent progress in GeSn growth and GeSn-based photonic devices
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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High-Performance GeSn Photodetector Covering All Telecommunication Bands
Veröffentlicht in IEEE photonics journal
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Influence of H2 on strain evolution of high-Sn-content Ge1−xSnx alloys
Veröffentlicht in Journal of materials science
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Theoretical Analysis of InGaAs/InAlAs Single-Photon Avalanche Photodiodes
Veröffentlicht in Nanoscale research letters
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Theoretical Studies on InGaAs/InAlAs SAGCM Avalanche Photodiodes
Veröffentlicht in Nanoscale research letters
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