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Activation of buried p-GaN in MOCVD-regrown vertical structures
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Strained GaN quantum-well FETs on single crystal bulk AlN substrates
Veröffentlicht in Applied physics letters
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1.1-kV Vertical GaN p-n Diodes With p-GaN Regrown by Molecular Beam Epitaxy
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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1.9-kV AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Diodes on Silicon
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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ELOVL2-AS1 inhibits migration of triple negative breast cancer
Veröffentlicht in PeerJ (San Francisco, CA)
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Research on NMR Noise Reduction Method Based on Improved CEEMD
Veröffentlicht in IEEE access
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High breakdown single-crystal GaN p-n diodes by molecular beam epitaxy
Veröffentlicht in Applied physics letters
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