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High-Quality Carbon Nitride Quantum Dots on Photoluminescence: Effect of Carbon Sources
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1.2-kV 4H-SiC JBS Diodes Engaging P-Type Retrograde Implants
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Veröffentlicht in AIP advances
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SiC Power Devices for Microgrids
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Development of chloroplast marker for identification of Ulva species
Veröffentlicht in Journal of oceanology and limnology
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Design and Characterization of High-Voltage 4H-SiC p-IGBTs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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