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Low Disorder and High Mobility 2DEG in Si/SiGe Fabricated in 200 mm BiCMOS Pilot line
Veröffentlicht in ECS transactions
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3-Dimensional Self-Ordered Multilayered Ge Nanodots on SiGe
Veröffentlicht in ECS transactions
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3-Dimensional Self-Ordered Multilayered Ge Nanodots on SiGe
Veröffentlicht in Meeting abstracts (Electrochemical Society)
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