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Monolithic Investigation of Hydrogen Plasma-Treated and Etched p-GaN Gate HEMTs Under OFF-State Drain Stress
von
Li, Fan
,
Liang, Ye
,
Zhang, Yuanlei
,
Huang, Yixiao
,
Li, Ang
,
Zhu, Yuhao
,
Yu, Chenruiyuan
,
Wang, Yubo
,
Wu, Shiqiang
,
Yu, Guohao
,
Pei, Yi
,
Zhang, Baoshun
,
Liu, Wen
Veröffentlicht in
IEEE transactions on electron devices
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