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    Novel Borderless Metal Contact Process Using a Self-Stopping Layer for a 4Gb DRAM and Beyond

    Novel Borderless Metal Contact Process Using a Self-Stopping Layer for a 4Gb DRAM and Beyond von YoonsooChun, J.S.Park, S.M.Jang, S.G.Park, Y.S.Hwang, H.S.Jeong, KinamKim


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