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A 1.2 kV SiC MOSFET with Integrated Heterojunction Diode and P-shield Region
Veröffentlicht in Energies (Basel)
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Optical gain in InGaN∕GaN quantum well structures with embedded AlGaN δ layer
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Optical gain in In Ga N ∕ Ga N quantum well structureswith embedded AlGaN δ layer
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Solution-processable double-layered ionic p-i-n organic light-emitting diodes
Veröffentlicht in Current applied physics
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