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    NAND Flash Scaling Beyond 20nm

    NAND Flash Scaling Beyond 20nm von Yohwan Koh


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    NAND Flash reliability degradation induced by HCI in boosted channel potential

    NAND Flash reliability degradation induced by HCI in boosted channel potential von Milim Park, Sukkwang Park, Seokwon Cho, Dong-Kyu Lee, YeonJoo Jeong, Chonga Hong, Ho Seok Lee, Myoung Kwan Cho, Kun-Ok Ahn, Yohwan Koh


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    The challenges and limitations on triple level cell geometry and process beyond 20 nm NAND Flash technology

    The challenges and limitations on triple level cell geometry and process beyond 20 nm NAND Flash technology von Yunbong Lee, Byoungjun Park, DaeHwan Yun, YeonJoo Jeong, Pyoung Hwa Kim, Ji Yul Park, Hae Chang Yang, Myoung Kwan Cho, Kun-Ok Ahn, Yohwan Koh


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    Offset-Trimming Bit-Line Sensing Scheme for Gigabit-Scale DRAM's

    Offset-Trimming Bit-Line Sensing Scheme for Gigabit-Scale DRAM's von Suh, Jungwon, Rho, Kwangmyoung, Park, Chankwang, Koh, Yohwan

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