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Suchergebnisse - Ymabe, Kikuo
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Interface properties of 4H-SiC MOS fabricated on the C-face in NF3-added O2 ambient
von
Hanasato, Kohei
,
Hasunuma, Takashi
,
Ymabe, Kikuo
Veröffentlicht in
JSAP Annual Meetings Extended Abstracts
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NF3添加酸化でC面上に作製した4H-SiC MOSの界面特性
von
花里, 耕平
,
蓮沼, 隆
,
山部, 紀久夫
Veröffentlicht in
応用物理学会学術講演会講演予稿集
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