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1
Exploring sub-20nm FinFET design with predictive technology models
von
Sinha, Saurabh
,
Yeric, Greg
,
Chandra, Vikas
,
Cline, Brian
,
Cao, Yu
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2
A 65-nm Random and Systematic Yield Ramp Infrastructure Utilizing a Specialized Addressable Array With Integrated Analysis Software
von
Karthikeyan, M.
,
Fox, S.
,
Cote, W.
,
Yeric, G.
,
Hall, M.
,
Garcia, J.
,
Mitchell, B.
,
Wolf, E.
,
Agarwal, S.
Veröffentlicht in
IEEE transactions on semiconductor manufacturing
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3
Special Section on the International Conference on Microelectronic Test Structures
von
Yeric, Greg
Veröffentlicht in
IEEE transactions on semiconductor manufacturing
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4
Physically-based models for effective mobility and local-field mobility of electrons in MOS inversion layers
von
Shin, H.
,
Yeric, G.M.
,
Tasch, A.F.
,
Maziar, C.M.
Veröffentlicht in
Solid-state electronics
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5
Correlating models and silicon for improved parametric yield
von
Aitken, R
,
Yeric, G
,
Flynn, D
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6
Improved universal MOSFET electron mobility degradation models for circuit simulation
von
Yue, C.
,
Agostinelli, V.M.
,
Yeric, G.M.
,
Tasch, A.F.
Veröffentlicht in
IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and systems
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7
Universal MOSFET hole mobility degradation models for circuit simulation
von
Agostinelli, V.M.
,
Yeric, G.M.
,
Tasch, A.F.
Veröffentlicht in
IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and systems
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8
Technology roadmaps and low power SoC design
von
Yeric, G.
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9
Degradation of insulators in Silicon Selective Epitaxial Growth (SEG) ambient
von
Bashir, R.
,
Kim, S.
,
Qadri, N.
,
Jin, D.
,
Neudeck, G.W.
,
Denton, J.P.
,
Yeric, G.
,
Wu, K.
,
Tasch, A.
Veröffentlicht in
IEEE electron device letters
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10
Development and Use of Small Addressable Arrays for Process Window Monitoring in 65nm Manufacturing
von
Karthikeyan, M.
,
Gasasira, A.
,
Fox, S.
,
Yeric, G.
,
Hall, M.
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11
A universal MOSFET mobility degradation model for circuit simulation
von
Yeric, G.M.
,
Tasch, A.F.
,
Banerjee, S.K.
Veröffentlicht in
IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and systems
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12
A 65nm random and systematic yield ramp infrastructure utilizing a specialized addressable array with integrated analysis software
von
Karthikeyan, M.
,
Fox, S.
,
Cote, W.
,
Yeric, G.
,
Hall, M.
,
Garcia, J.
,
Mitchell, B.
,
Wolf, E.
,
Agarwal, S.
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13
Infrastructure for successful BEOL characterization and yield ramp at the 65 nm node and below
von
DeBord, J.R.D.
,
Grice, T.
,
Garcia, R.
,
Yeric, G.
,
Cohen, E.
,
Sutandi, A.
,
Garcia, J.
,
Green, G.
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14
Infrastructure for successful BEOL yield ramp, transfer to manufacturing, and DFM characterization at 65 nm and below
von
Yeric, G.
,
Cohen, E.
,
Garcia, J.
,
Davis, K.
,
Salem, E.
,
Green, G.
Veröffentlicht in
IEEE design & test of computers
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15
TDNVRAM/sup TM/: methodology and architecture of a nonvolatile-memory technology development testchip
von
Montanari, D.
,
Deshazo, D.
,
Yeric, G.
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