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Four-Terminal FinFETs Fabricated Using an Etch-Back Gate Separation
Veröffentlicht in IEEE transactions on nanotechnology
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Microstructures of SiO2 Scales Formed on MoSi2
Veröffentlicht in Materials science forum
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高誘電率Al2O3ブロック絶縁膜を用いたチャージトラップ型FinFETフラッシュメモリの作製及び電気特性評価
Veröffentlicht in 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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10-7 Space Rediation Damages of Charge Coupled Devices
Veröffentlicht in PROCEEDINGS OF THE ITE ANNUAL CONVENTION
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