Suppression of newly generated threading dislocations at the regrowth interface of a GaN crystal by growth rate control in the Na-flux method von Yamauchi, Hyoga, Tandryo, Ricksen, Yamada, Takumi, Murakami, Kosuke, Usami, Shigeyoshi, Imanishi, Masayuki, Maruyama, Mihoko, Yoshimura, Masashi, Mori, Yusuke

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Naフラックス法を用いたGaN結晶のホモエピタキシャル成長における転位挙動の調査 von 山内, 彪我, Tandryo, Ricksen, 山田, 拓海, 村上, 航介, 宇佐美, 茂佳, 今西, 正幸, 丸山, 美帆子, 吉村, 政志, 森, 勇介

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Naフラックス法でのGaN結晶育成における精製ナトリウムを用いたステップバンチング抑制 von 山内, 彪我, 山田, 拓海, 今西, 正幸, 上田, 幹人, 森, 勇介

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