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Dopant redistribution in silicon-on-sapphire films during thermal annealing
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Defects in high-dose oxygen implanted silicon: a TEM study
Veröffentlicht in Vacuum
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Diffusion of boron in heavily doped n- and p-type silicon
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Shallow junction source/drain regions in CMOS/VLSI technologies
Veröffentlicht in Physica B + C
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Defects in High-Dose Oxygen Implanted Silicon
Veröffentlicht in Materials science forum
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Community Partnership Research with the Yakama Indian Nation
Veröffentlicht in Human organization
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