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Development of SiC Super-Junction (SJ) Devices by Multi-Epitaxial Growth
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Lateral RESURF MOSFET fabricated on 4H-SiC(0001/sup ~/) C-face
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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3 kV Normally-Off 4H-SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs)
Veröffentlicht in Materials science forum
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Radiation Hardness Evaluation of SiC-BGSIT
Veröffentlicht in Materials science forum
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Experimental Study of Short-Circuit Capability of Normally-off SiC-BGSITs
Veröffentlicht in Materials science forum
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Reverse characteristics of pn diodes on 4H–SiC(000-1) C and (11-20) face
Veröffentlicht in Applied physics letters
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