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Characteristics of InGaN laser diodes in the pure blue region
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
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510–515 nm InGaN-Based Green Laser Diodes on c -Plane GaN Substrate
Veröffentlicht in Applied physics express
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Study of GaN-based Laser Diodes in Near Ultraviolet Region
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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High-Power Pure Blue InGaN Laser Diodes
Veröffentlicht in IEICE Transactions on Electronics
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Ultraviolet GaN Single Quantum Well Laser Diodes
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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365 nm Ultraviolet Laser Diodes Composed of Quaternary AlInGaN Alloy
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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