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Elastic constants and critical thicknesses of ScGaN and ScAlN
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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NRC-interacting factor directs neurite outgrowth in an activity-dependent manner
Veröffentlicht in Neuroscience
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Structure and strain relaxation effects of defects in InxGa1−xN epilayers
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Dislocation core structures in Si-doped GaN
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Electrically injected whispering-gallery mode InGaN/GaN microdisks
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Evaluation of InGaN/GaN light-emitting diodes of circular geometry
Veröffentlicht in Optics express
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Two-bit ferroelectric field-effect transistor memories assembled on individual nanotubes
Veröffentlicht in Nanotechnology
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Packaging of InGaN stripe-shaped light-emitting diodes
Veröffentlicht in Applied optics (2004)
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The atomic structure of polar and non-polar InGaN quantum wells and the green gap problem
Veröffentlicht in Ultramicroscopy
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Cdk5 is involved in neuregulin-induced AChR expression at the neuromuscular junction
Veröffentlicht in Nature neuroscience
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Whispering-gallery mode InGaN microdisks on GaN substrates
Veröffentlicht in Optics express
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