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Wafer-scale vertical injection III-nitride deep-ultraviolet light emitters
Veröffentlicht in Nature communications
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Review on the Progress of AlGaN-based Ultraviolet Light-Emitting Diodes
Veröffentlicht in Fundamental research (Beijing)
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Lattice‐Symmetry‐Driven Epitaxy of Hierarchical GaN Nanotripods
Veröffentlicht in Advanced functional materials
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High-electron-mobility InN epilayers grown on silicon substrate
Veröffentlicht in Applied physics letters
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A strategy for obtaining AlN heteroepitaxial films with high crystalline quality
Veröffentlicht in Nature materials
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