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Impact of substrate bias on radiation-induced edge effects in MOSFETs
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Enhanced Total Ionizing Dose Susceptibility in Narrow Channel Devices
Veröffentlicht in Chinese physics letters
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Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Radiation induced inter-device leakage degradation
Veröffentlicht in Chinese physics C
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