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Band engineering of the MoS2/stanene heterostructure: strain and electrostatic gating
Veröffentlicht in Nanotechnology
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Direct Wide Bandgap 2D GeSe2 Monolayer toward Anisotropic UV Photodetection
Veröffentlicht in Advanced optical materials
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Impurity states in InSe monolayers doped with group II and IV elements
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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n- and p-type dopants in the InSe monolayer via substitutional doping
Veröffentlicht in Journal of materials science
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