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Effect of anode material on high-field-induced hole current in SiO/sub 2/ layer of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
von
Xiaopinh Gao
,
Yee, S.S.
Veröffentlicht in
IEEE transactions on electron devices
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Effect of anode material on high-field-induced hole current in SiO(2) layer of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
von
Gao, Xiaopinh
,
Yee, S S
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IEEE transactions on electron devices
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