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A high reliability under-voltage lock out circuit for power driver IC
Veröffentlicht in Integration (Amsterdam)
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Fully Integrated 1.8 V Output 300 mA Load LDO with Fast Transient Response
Veröffentlicht in Electronics (Basel)
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TID Effect of MOSFETs in SOI BCD Process and its Hardening Technique
Veröffentlicht in IEEE transactions on nuclear science
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Design of a NMOS-triggered SCR for dual-direction low-voltage ESD protection
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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