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Growth of high quality GaN layers with AlN buffer on Si(1 1 1) substrates
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Metal–semiconductor–metal GaN ultraviolet photodetectors on Si(111)
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Ti/Al/Pt/Au and Al ohmic contacts on Si-substrated GaN
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Study on the AlN/Si [formula omitted] interface properties
Veröffentlicht in Optical materials
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Aluminum and GaN contacts on Si(111) and sapphire
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Photocurrent Properties of the AlGaN/GaN/AlGaN Multilayer Structure on Si
Veröffentlicht in Chinese physics letters
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Atomically precise interfaces from non-stoichiometric deposition
Veröffentlicht in Nature communications
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