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MoTe2 p–n Homojunctions Defined by Ferroelectric Polarization
Veröffentlicht in Advanced materials (Weinheim)
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Ultrasensitive negative capacitance phototransistors
Veröffentlicht in Nature communications
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Wafer-scale Te thin film with high hole mobility and piezoelectric coefficients
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Long‐Range Hot‐Carrier Transport in Topologically Connected HgTe Quantum Dots
Veröffentlicht in Advanced science
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Ferroelectric field effect transistors for electronics and optoelectronics
Veröffentlicht in Applied Physics Reviews
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Multisensory Ferroelectric Semiconductor Synapse for Neuromorphic Computing
Veröffentlicht in Advanced functional materials
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End-Bonded Contacts of Tellurium Transistors
Veröffentlicht in ACS applied materials & interfaces
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High-performance ReS2 photodetectors enhanced by a ferroelectric field and strain field
Veröffentlicht in RSC advances
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MoTe2/SnSe2 Tunneling Diode Regulated by Giant Ferroelectric Field
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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