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Improving the Endurance Characteristics Through Boron Implant at Active Edge in 1 G NAND Flash
von
Daewoong Kang
,
Sungnam Chang
,
Seunggun Seo
,
Yongwook Song
,
Hojin Yoon
,
Eunjung Lee
,
Dongwon Chang
,
Wonseong Lee
,
Byung-Gook Park
,
Jong Duk Lee
,
Il Han Park
,
Sangwoo Kang
,
Hyungcheol Shin
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2
Improving the Cell Characteristics Using SiN Liner at Active Edge in 4 Gbits NAND Flash Memories
von
Kang, Daewoong
,
Jang, Sungnam
,
Lee, Kyongjoo
,
Kim, Jinjoo
,
Chang, Dongwon
,
Kwon, Hyukje
,
Lee, Wonseong
,
Park, Il-Han
,
Kim, Jun Su
,
Lee, Jae Hong
,
Park, Byung-Gook
,
Lee, Jong Duk
,
Shin, Hyungcheol
Veröffentlicht in
Japanese Journal of Applied Physics
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3
Dynamic Vpass ISPP scheme and optimized erase Vth control for high program inhibition in MLC NAND flash memories
von
Park, Ki-Tae
,
Kang, Myounggon
,
Hwang, Soonwook
,
Song, Youngsun
,
Lee, Jaewook
,
Joo, Hansung
,
Oh, Hyun-Sil
,
Kim, Jae-ho
,
Lee, Yeong-taek
,
Kim, Changhyun
,
Lee, Wonseong
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4
Improving the Cell Characteristics Using Low-k Gate Spacer in 1Gb NAND Flash Memory
von
Kang, D.
,
Jang, S.
,
Lee, K.
,
Kim, J.
,
Kwon, H.
,
Lee, W.
,
Park, B.G.
,
Lee, J.D.
,
Shin, H.
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Bounded Rationality in Central Bank Communication
von
Kim, Wonseong
,
Lee, Choong Lyol
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6
Bounded Rationality in Central Bank Communication
von
Kim, Wonseong
,
Lee, Choong Lyol
Veröffentlicht in
arXiv.org
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Ieee Electronic Library (Iel)
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