Suchergebnisse - Wohlmuth, Walter

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Properties of R.F. magnetron sputtered cadmium–tin–oxide and indium–tin–oxide thin films von Wohlmuth, Walter, Adesida, Ilesanmi

Veröffentlicht in Thin solid films

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High performance GaAs MESFETs with molecular implanted and optimized lowly-doped drain structure for maximized speed, gain and breakdown performance von Wohlmuth, Walter A., Davenport, Bill, Bowman, Tyler, Hamilton, Pat, Hallgren, Robert, Pool, Frederick S., Turudic, Andy

Veröffentlicht in Solid-state electronics

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Innovations in SiC Backside Processing and Manufacturing for GaN/SiC Products von Weng, Ming Hung, Du, Jhih Han, Cho, I Te, Wang, Yao Hsien, Chang, Yu Wei, Wei, Yi Feng, Chen, Chao Hao, Wohlmuth, Walter, Huang, Shih Hui, Wang, Wei Chou

Veröffentlicht in Materials science forum

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E-/D-pHEMT technology for wireless components von Wohlmuth, W.A., Liebl, W., Juneja, V., Hallgren, R., Struble, W., Farias, D., Litzenberg, P., Berger, O.

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Field effect transistor von Wohlmuth, Walter Tony

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$Effect of diffraction and interference in submicron metal-semiconductor-metal photodetectors$

Effect of diffraction and interference in submicron metal-semiconductor-metal photodetectors von Arafa, M., Wohlmuth, W.A., Fay, P., Adesida, I.

Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices

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FIELD EFFECT TRANSISTOR von WOHLMUTH, WALTER TONY

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Investigation of high performance Edge Lifted Capacitors reliability for GaAs and GaN MMIC technology von Weng, Ming-Hung, Chen, Chao-Hung, Lin, Che-Kai, Huang, Shih-Hui, Du, Jhih-Han, Peng, Sheng-Wen, Wohlmuth, Walter, Chou, Frank Yung-Shi, Hua, Chang-Hwang

Veröffentlicht in Microelectronics and reliability

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Heterojuction bipolar transistor von Wohlmuth, Walter Tony

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HETEROJUCTION BIPOLAR TRANSISTOR von WOHLMUTH, WALTER TONY

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Semiconductor substrate von Chuang, Chih-Yuan, Wohlmuth, Walter Tony

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SEMICONDUCTOR SUBSTRATE von Chuang, Chih-Yuan, Wohlmuth, Walter Tony

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Semiconductor substrate and method of manufacturing the same von Chuang, Chih-Yuan, Wohlmuth, Walter Tony

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Pure Play GaN Foundry 0.25µm HEMT Technology for RF Applications von Ming-Hung Weng, Che-Kai Lin, Jhih-Han Du, Wei-Chou Wang, Wen-Kai Wang, Wohlmuth, Walter

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Radio frequency integrated circuit von Hsu, Shuo-Hung, Wohlmuth, Walter Tony, Joshi, Rachit

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TWI830061B von WOHLMUTH, WALTER TONY

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TWI823775B von WOHLMUTH, WALTER TONY

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SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME von Chuang, Chih-Yuan, Wohlmuth, Walter Tony

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SEMICONDUCTOR DEVICE von Lin, Shin-Cheng, Huang, Chia-Ching, Wohlmuth, Walter

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Field effect transistor comprising a first semiconductor structure, a second semiconductor structure, a gate metal contact, a source metal contact, and a drain metal contact von WOHLMUTH, WALTER TONY

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Properties of R.F. magnetron sputtered cadmium–tin–oxide and indium–tin–oxide thin films von Wohlmuth, Walter, Adesida, Ilesanmi

High performance GaAs MESFETs with molecular implanted and optimized lowly-doped drain structure for maximized speed, gain and breakdown performance von Wohlmuth, Walter A., Davenport, Bill, Bowman, Tyler, Hamilton, Pat, Hallgren, Robert, Pool, Frederick S., Turudic, Andy

Innovations in SiC Backside Processing and Manufacturing for GaN/SiC Products von Weng, Ming Hung, Du, Jhih Han, Cho, I Te, Wang, Yao Hsien, Chang, Yu Wei, Wei, Yi Feng, Chen, Chao Hao, Wohlmuth, Walter, Huang, Shih Hui, Wang, Wei Chou

E-/D-pHEMT technology for wireless components von Wohlmuth, W.A., Liebl, W., Juneja, V., Hallgren, R., Struble, W., Farias, D., Litzenberg, P., Berger, O.

Field effect transistor von Wohlmuth, Walter Tony

Effect of diffraction and interference in submicron metal-semiconductor-metal photodetectors von Arafa, M., Wohlmuth, W.A., Fay, P., Adesida, I.

FIELD EFFECT TRANSISTOR von WOHLMUTH, WALTER TONY

Investigation of high performance Edge Lifted Capacitors reliability for GaAs and GaN MMIC technology von Weng, Ming-Hung, Chen, Chao-Hung, Lin, Che-Kai, Huang, Shih-Hui, Du, Jhih-Han, Peng, Sheng-Wen, Wohlmuth, Walter, Chou, Frank Yung-Shi, Hua, Chang-Hwang

Heterojuction bipolar transistor von Wohlmuth, Walter Tony

HETEROJUCTION BIPOLAR TRANSISTOR von WOHLMUTH, WALTER TONY

Semiconductor substrate von Chuang, Chih-Yuan, Wohlmuth, Walter Tony

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE von Chuang, Chih-Yuan, Wohlmuth, Walter Tony

Semiconductor substrate and method of manufacturing the same von Chuang, Chih-Yuan, Wohlmuth, Walter Tony

Pure Play GaN Foundry 0.25µm HEMT Technology for RF Applications von Ming-Hung Weng, Che-Kai Lin, Jhih-Han Du, Wei-Chou Wang, Wen-Kai Wang, Wohlmuth, Walter

Radio frequency integrated circuit von Hsu, Shuo-Hung, Wohlmuth, Walter Tony, Joshi, Rachit

TWI830061B von WOHLMUTH, WALTER TONY

TWI823775B von WOHLMUTH, WALTER TONY

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME von Chuang, Chih-Yuan, Wohlmuth, Walter Tony

SEMICONDUCTOR DEVICE von Lin, Shin-Cheng, Huang, Chia-Ching, Wohlmuth, Walter

Field effect transistor comprising a first semiconductor structure, a second semiconductor structure, a gate metal contact, a source metal contact, and a drain metal contact von WOHLMUTH, WALTER TONY

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