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Spike Anneal Peak Temperature Impact on 1T-DRAM Retention Time
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Towards more predictive and interdisciplinary climate change ecosystem experiments
Veröffentlicht in Nature climate change
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(Invited) Selective Etch of Si and SiGe for Gate All-Around Device Architecture
Veröffentlicht in ECS transactions
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Towards more predictive and interdisciplinary climate change ecosystem experiments
Veröffentlicht in NATURE CLIMATE CHANGE
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Layout Scaling of \hbox\hbox \hbox pFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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