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Band structure of germanium carbides for direct bandgap silicon photonics
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Height-selective etching for regrowth of self-aligned contacts using MBE
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Bowing of the band gap and spin-orbit splitting energy in BGaAs
Veröffentlicht in Materials research express
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Continuous-wave operation of GaInNAsSb distributed feedback lasers at 1.5 μm
Veröffentlicht in Electronics letters
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Room-temperature continuous-wave 1.55μm GalnNAsSb laser on GaAs
Veröffentlicht in Electronics letters
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Dilute nitride GaInNAs and GaInNAsSb solar cells by molecular beam epitaxy
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Monolithic 1.55 μm GaInNAsSb quantum well passively modelocked lasers
Veröffentlicht in Electronics letters
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High-performance 1.5 μm GaInNAsSb lasers grown on GaAs
Veröffentlicht in Electronics letters
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