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Band structure of germanium carbides for direct bandgap silicon photonics
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Bowing of the band gap and spin-orbit splitting energy in BGaAs
Veröffentlicht in Materials research express
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Height-selective etching for regrowth of self-aligned contacts using MBE
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Long-wavelength GaInNAs(Sb) lasers on GaAs
Veröffentlicht in IEEE journal of quantum electronics
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Dilute nitride GaInNAs and GaInNAsSb solar cells by molecular beam epitaxy
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Room-temperature continuous-wave 1.55μm GalnNAsSb laser on GaAs
Veröffentlicht in Electronics letters
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Monolithic 1.55 μm GaInNAsSb quantum well passively modelocked lasers
Veröffentlicht in Electronics letters
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Long wavelength GaInNAsSb/GaNAsSb multiple quantum well lasers
Veröffentlicht in Electronics letters
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Vertical InGaAs/InP Tunnel FETs With Tunneling Normal to the Gate
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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