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Suchergebnisse - Wismayer, A.C
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TEM and IBA study of the thermal oxidation of V following high dose He implantation
von
Gilberd, P.W
,
Johnson, P.B
,
Vickridge, I.C
,
Wismayer, A.C
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Journal of nuclear materials
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2
Perimeter and bulk recombination currents in GaAs homojunction diodes and [formula omitted] heterojunction bipolar transistors after surface processing
von
Kalingamudali, S.R.D
,
Wismayer, A.C
,
Woods, R.C
,
Wight, D.R
Veröffentlicht in
Solid-state electronics
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The etching of Ga 0.7Al 0.3As using KII 2
von
Wismayer, A.C.
,
Weiss, B.L.
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Materials letters
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4
Experimental evaluation of separate contributions to ideality factor for the base surface recombination current in heterojunction bipolar transistors
von
Kalingamudali, S.R.D.
,
Wismayer, A.C.
,
Woods, R.C.
Veröffentlicht in
Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology
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5
Recombination current reduction in AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors with polyimide deposition
von
Kalingamudali, S.R.D.
,
Wismayer, A.C.
,
Woods, R.C.
Veröffentlicht in
Solid-state electronics
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6
The etching of Ga0.7Al0.3As using KI-I2
von
WISMAYER, A. C
,
WEISS, B. L
Veröffentlicht in
Materials letters
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Artikel
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Sd College Edition Journals Collection - Physical Sciences [Scps]
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