Triangular InGaAs-OI nMOSFET with high mobility (111)B surfaces von Irisawa, Toshifumi, Oda, Minoru, Ikeda, Keiji, Moriyama, Yoshihiko, Mieda, Eiko, Wipakorn, Jevaswan, Maeda, Tatsurou, Ichikawa, Osamu, Osada, Takenori, Miyamoto, Yasuyuki, Hata, Masahiko, Tezuka, Tsutomu

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高移動度(111)B面をチャネルに有する三角形状InGaAs-OI nMOSFET von 入沢, 寿史, 小田, 穣, 池田, 圭司, 守山, 佳彦, 三枝, 栄子, 前田, 辰朗, 市川, 麿, 長田, 剛規, 宮本, 恭幸, 秦, 雅彦, 手塚, 勉

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3次元積層集積化による高移動度InGaAs/Ge CMOSの動作実証 von 入沢, 寿史, 小田, 穣, 上牟田, 雄一, 守山, 佳彦, 池田, 圭司, 三枝, 栄子, 前田, 辰郎, 市川, 麿, 長田, 剛規, 秦, 雅彦, 手塚, 勉

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