Developments in Mask-Free Singularly Addressable Nano-LED Lithography von Mikulics, Martin, Winden, Andreas, Mayer, Joachim, Hardtdegen, Hilde

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Spectral Sensitivity Tuning of Vertical InN Nanopyramid-Based Photodetectors von Winden, Andreas, Mikulics, Martin, Haab, Anna, Grützmacher, Detlev, Hardtdegen, Hilde

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Highly Transparent Conducting Polymer Top Contacts for Future III--Nitride Based Single Photon Emitters von Riess, Sally, Mikulics, Martin, Winden, Andreas, Adam, Roman, Marso, Michel, Grützmacher, Detlev, Hardtdegen, Hilde

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Morphology evolution and optical properties of GaN nano-pyramids grown by selective area MOVPE von Winden, Andreas, Mikulics, Martin, Haab, Anna, Stoica, Toma, von der Ahe, Martina, Wirtz, Konrad, Hardtdegen, Hilde, Grützmacher, Detlev

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Residual strain in recessed AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors evaluated by micro photoluminescence measurements von Mikulics, Martin, Hardtdegen, Hilde, Winden, Andreas, Fox, Alfred, Marso, Michel, Sofer, Zdeněk, Lüth, Hans, Grützmacher, Detlev, Kordoš, Peter

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The absence of Fraunhofer patterns in narrow Nb/InAs-nanowire/Nb junctions von Yusuf, Günel H, Batov, Igor E, Hardtdegen Hilde, Sladek Kamil, Winden Andreas, Panaitov Gregor, Grützmacher Detlev, Schäpers, Thomas

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Nano-LED induced chemical reactions for structuring processes von Mikulics, Martin, Sofer, Zdenĕk, Winden, Andreas, Trellenkamp, Stefan, Förster, Beate, Mayer, Joachim, Hardtdegen, Hilde Helen

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Quantum dots in InAs nanowires induced by surface potential fluctuations von Weis, Karl, Wirths, Stephan, Winden, Andreas, Sladek, Kamil, Hardtdegen, Hilde, Lüth, Hans, Grützmacher, Detlev, Schäpers, Thomas

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Site-controlled growth of indium nitride based nanostructures using metalorganic vapour phase epitaxy von Winden, Andreas, Mikulics, Martin, Stoica, Toma, von der Ahe, Martina, Mussler, Gregor, Haab, Anna, Grützmacher, Detlev, Hardtdegen, Hilde

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Self-assembled GaN nanostructures by dry etching and their optical properties von Haab, Anna, Mikulics, Martin, Winden, Andreas, Voigt, Sally, von der Ahe, Martina, Moers, Jürgen, Wirtz, Konrad, Stoica, Toma, Grützmacher, Detlev, Hardtdegen, Hilde

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Comparison of InAs nanowire conductivity: influence of growth method and structure von Sladek, Kamil, Winden, Andreas, Wirths, Stephan, Weis, Karl, Blömers, Christian, Gül, Önder, Grap, Thomas, Lenk, Steffi, von der Ahe, Martina, Weirich, Thomas E., Hardtdegen, Hilde, Lepsa, Mihail Ion, Lysov, Andrey, Li, Zi-An, Prost, Werner, Tegude, Franz-Josef, Lüth, Hans, Schäpers, Thomas, Grützmacher, Detlev

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MICROELECTROMECHANICAL ACTUATOR STRUCTURE, COMPONENT von Melnikov, Anton, Engelhart, Peter, Moeinian, Ardeshir, Winden, Andreas

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Mikroelektromechanische Vorrichtung und mikroelektromechanischer Lautsprecher von Engelhart, Peter, Maier, Daniel, Winden, Andreas

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MEMS-Wandler von Melnikov, Anton, Engelhart, Peter, Winden, Andreas

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MICROELECTROMECHANICAL ACTUATOR STRUCTURE, AND COMPONENT von ENGELHART, Peter, MECKBACH, Johannes, WINDEN, Andreas

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Mikroelektromechanische Aktuatorstruktur, Bauelement von Engelhart, Peter, Meckbach, Johannes, Winden, Andreas

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SENSOR ASSEMBLY von AHLES, Marcus, KRAMER, Torsten, WINDEN, Andreas

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MICROELECTROMECHANICAL LOUDSPEAKER von ENGELHART, Peter, PINTER, Stefan, WINDEN, Andreas

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Mikroelektromechanischer Lautsprecher von Engelhart, Peter, Winden, Andreas, Pinter, Stefan

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Sensoranordnung von Ahles, Marcus, Kramer, Torsten, Winden, Andreas

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