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Homoepitaxial HVPE-GaN growth on non-polar and semi-polar seeds
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Extended Defects in SiC: Selective Etching and Raman Study
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
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Evolution of the Growth Mode and Its Consequences during Bulk Crystallization of GaN
Veröffentlicht in Materials
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HVPE-GaN growth on misoriented ammonothermal GaN seeds
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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