Filtration properties of hierarchical carbon nanostructures deposited on carbon fibre fabrics von Kurzyp, M, Mills, C A, Rhodes, R, Pozegic, T R, Smith, C T G, Beliatis, M J, Rozanski, L J, Werbowy, A, Silva, S R P

Volltext

MIS field effect transistor with barium titanate thin film as a gate insulator von Firek, P., Werbowy, A., Szmidt, J.

Volltext

Electrophysical properties of thin germanium/carbon layers produced on silicon using organometallic radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition process von Szmidt, J., Gazicki-Lipman, M., Szymanowski, H., Mazurczyk, R., Werbowy, A., Kudła, A.

Volltext

Reactive ion etching of novel materials—GaN and SiC von Szczęsny, A., Śniecikowski, P., Szmidt, J., Werbowy, A.

Volltext

Impulse plasma deposition of aluminum oxide layers for Al2O3/Si, SiC, GaN systems von Werbowy, A., Zdunek, K., Dusiński, E., Szmidt, J., Elert, M.

Volltext

Barium titanate thin films plasma etch rate as a function of the applied RF power and Ar/CF4 mixture gas mixing ratio von Werbowy, A., Firek, P., Chojnowski, J., Olszyna, A., Szmidt, J., Kwietniewski, N.

Volltext

Electronic properties of c-BN thick film layers obtained on silicon and ceramics substrates von Firek, P., Jakubowska, M., Werbowy, A., Zwierkowska, E., Szmidt, J.

Volltext

Properties of Pt/4H-SiC Schottky diodes with interfacial layer at elevated temperatures von Sochacki, Mariusz, Kolendo, Adam, Szmidt, Jan, Werbowy, Aleksander

Volltext

Ultra-thin nanocrystalline diamond detectors von Słapa, M., Szmidt, J., Szczęsny, A., Śniecikowski, P., Czarnacki, W., Dudek, M., Traczyk, M., Werbowy, A.

Volltext

RF plasma selective etching of boron nitride films von Werbowy, A., Szmidt, J., Sokołowska, A., Mitura, S.

Volltext

Heterojunctions of amorphous wide band gap nitrides and silicon von Werbowy, A., Szmidt, J., Sokołowska, A., Olszyna, A.

Volltext

Electronic properties of nanocrystalline BN and AlN films deposited on Si and GaAs—a comparison von Szmidt, J, Sokołowska, A, Olszyna, A, Werbowy, A, Pawłowski, P

Volltext

In situ doping of a-cBN layers von Szmidt, J., Werbowy, A., Michalski, A., Olszyna, A., Sokołowska, A., Mitura, S

Volltext

Nanocrystalline C=N thin films von Szmidt, J., Werbowy, A., Zdunek, K., Sokowska, A., Konwerska-Hrabowska, J., Mitura, S.

Volltext

Effect of annealing on the structure and electrical properties of sulfur-doped amorphous c-BN layers von SZMIDT, J, WERBOWY, A, JARZEBOWSKI, L, GEBICKI, T, PETRAKOVA, I, SOKOŁOWSKA, A, OLSZYNA, A

Volltext

Fabrication and properties of Mo contacts to amorphous cubic boron nitride (a-cBN) layers von Werbowy, A., Szmidt, J., Sokolowska, A., Olszyna, A., Mitura, S.

Volltext

Peculiarities of thin film deposition by means of reactive impulse plasma assisted chemical vapor deposition (RIPACVD) method von Werbowy, Aleksander, Olszyna, Andrzej, Zdunek, Krzysztof, Sokołowska, Aleksandra, Szmidt, Jan, Barcz, Adam

Volltext

Luminescent properties of wide bandgap materials at room temperature von Godlewski, M., Szmidt, J., Olszyna, A., Werbowy, A., Łusakowska, E., Phillips, M.R., Goldys, E.M., Sokołowska, A.

Volltext

Influence of annealing on reverse current of 4H–SiC Schottky diodes von Sochacki, Mariusz, Szmidt, Jan, Bakowski, Mietek, Werbowy, Aleksander

Volltext

Silicon dioxide and silicon nitride as a passivation and edge termination for 4H-SiC Schottky diodes von Sochacki, Mariusz, Lukasiewicz, Radoslaw, Rzodkiewicz, Witold, Werbowy, Aleksander, Szmidt, Jan, Staryga, Elzbieta

Volltext