MESFETs and inverters based on amorphous zinc-tin-oxide thin films prepared at room temperature von Vogt, Sofie, von Wenckstern, Holger, Grundmann, Marius

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Group‐III Sesquioxides: Growth, Physical Properties and Devices von von Wenckstern, Holger

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Ultrawide bandgap willemite-type Zn2GeO4 epitaxial thin films von Luo, Sijun, Trefflich, Lukas, Selle, Susanne, Hildebrandt, Ron, Krüger, Evgeny, Lange, Stefan, Yu, Jingjing, Sturm, Chris, Lorenz, Michael, Wenckstern, Holger von, Hagendorf, Christian, Höche, Thomas, Grundmann, Marius

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Lattice parameters and Raman-active phonon modes of (In x Ga1– x )2O3 for x  < 0.4 von Kranert, Christian, Lenzner, Jörg, Jenderka, Marcus, Lorenz, Michael, von Wenckstern, Holger, Schmidt-Grund, Rüdiger, Grundmann, Marius

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Highly rectifying p-ZnCo2O4/n-ZnO heterojunction diodes von Friedrich-Leonhard, Schein, Winter, Markus, Böntgen Tammo, von Wenckstern Holger, Grundmann Marius

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Method of choice for fabrication of high-quality ZnO-based Schottky diodes von Müller, Stefan, von Wenckstern, Holger, Schmidt, Florian, Splith, Daniel, Heinhold, Robert, Allen, Martin, Grundmann, Marius

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Impact of strain on electronic defects in (Mg,Zn)O thin films von Schmidt, Florian, Müller, Stefan, von Wenckstern, Holger, Benndorf, Gabriele, Pickenhain, Rainer, Grundmann, Marius

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Highly crystalline In2S3 thin films epitaxially grown on sapphire substrates von Jawinski, Tanja, Sturm, Chris, Clausing, Roland, Kempa, Heiko, Grundmann, Marius, Scheer, Roland, von Wenckstern, Holger

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Wavelength-selective ultraviolet (Mg,Zn)O photodiodes: Tuning of parallel composition gradients with oxygen pressure von Zhang, Zhipeng, von Wenckstern, Holger, Lenzner, Jörg, Grundmann, Marius

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Flexible hardware concept of pulsed laser deposition for large areas and combinatorial composition spreads von Lorenz, Michael, Hochmuth, Holger, von Wenckstern, Holger, Grundmann, Marius

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Transparent p -CuI/ n -ZnO heterojunction diodes von Schein, Friedrich-Leonhard, von Wenckstern, Holger, Grundmann, Marius

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SnO/β-Ga2O3 vertical pn heterojunction diodes von Budde, Melanie, Splith, Daniel, Mazzolini, Piero, Tahraoui, Abbes, Feldl, Johannes, Ramsteiner, Manfred, von Wenckstern, Holger, Grundmann, Marius, Bierwagen, Oliver

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Optical signatures of deep level defects in Ga2O3 von Gao, Hantian, Muralidharan, Shreyas, Pronin, Nicholas, Karim, Md Rezaul, White, Susan M., Asel, Thaddeus, Foster, Geoffrey, Krishnamoorthy, Sriram, Rajan, Siddharth, Cao, Lei R., Higashiwaki, Masataka, von Wenckstern, Holger, Grundmann, Marius, Zhao, Hongping, Look, David C., Brillson, Leonard J.

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Numerical Modeling of Schottky Barrier Diode Characteristics von Splith, Daniel, Müller, Stefan, Wenckstern, Holger, Grundmann, Marius

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Lateral α-Ga2O3:Zr metal–semiconductor field effect transistors von Vogt, Sofie, Splith, Daniel, Köpp, Sebastian, Schlupp, Peter, Petersen, Clemens, von Wenckstern, Holger, Grundmann, Marius

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Visible-blind and solar-blind ultraviolet photodiodes based on (In x Ga1− x )2O3 von Zhang, Zhipeng, von Wenckstern, Holger, Lenzner, Jörg, Lorenz, Michael, Grundmann, Marius

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Electrical Properties of Vertical p‐NiO/n‐Ga2O3 and p‐ZnCo2O4/n‐Ga2O3 pn‐Heterodiodes von Schlupp, Peter, Splith, Daniel, von Wenckstern, Holger, Grundmann, Marius

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Interface Recombination Current in Type II Heterostructure Bipolar Diodes von Grundmann, Marius, Karsthof, Robert, von Wenckstern, Holger

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Realization of Conductive n‐Type Doped α‐Ga2O3 on m‐Plane Sapphire Grown by a Two‐Step Pulsed Laser Deposition Process von Vogt, Sofie, Petersen, Clemens, Kneiß, Max, Splith, Daniel, Schultz, Thorsten, von Wenckstern, Holger, Koch, Norbert, Grundmann, Marius

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p‐Type Doping and Alloying of CuI Thin Films with Selenium von Storm, Philipp, Bar, Michael Sebastian, Selle, Susanne, von Wenckstern, Holger, Grundmann, Marius, Lorenz, Michael

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