-
1
-
2
High-Performance High-k Y2O3 SONOS-Type Flash Memory
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
3
-
4
A high-k Y2O3 charge trapping layer for nonvolatile memory application
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
5
-
6
-
7
Structural and electrical characteristics of thin erbium oxide gate dielectrics
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
8
A high- k Y 2 O 3 charge trapping layer for nonvolatile memory application
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
9
High-Performance High- k \hbox\hbox SONOS-Type Flash Memory
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
10
-
11
-
12
Formation of stacked oxide/Y2TiO5/oxide layers for flash memory application
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
13
Formation of stacked oxide/ Y 2 Ti O 5 /oxide layers for flash memory application
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
14
-
15
-
16
-
17
-
18
-
19
-
20