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NVM characteristics of single-MOSFET cells using nitride spacers with gate-to-drain NOI
von
Chien-Sheng Hsieh
,
Pai-Chu Kao
,
Chia-Sung Chiu
,
Chih-Hsueh Hon
,
Chen-Chia Fan
,
Wei-Chain Kung
,
Zih-Wun Wang
,
Jeng, E.S.
Veröffentlicht in
IEEE transactions on electron devices
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