Foreword SOS special issue-Nonvolatile memory technology von Cricchi, J.R., Wegener, H.A.R.

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Bistable impedance states in MIS structures through controlled inversion von Kroger, H., Wegener, H.A.R.

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The gated-access MNOS memory transistor von Wegener, H.A.R.

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The cylindrical field-effect transistor von Wegener, H.A.R.

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Effect of Electron Radiation on Silicon Nitride Insulated Gate Field Effect Transistors von Newman, Phillip A., Wegener, H. A. R.

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Effects of electron irradiation of metal-nitride-semiconductor insulated gate field-effect transistors von Stanley, A.G., Wegener, H.A.R.

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Radiation Resistant MNOS Memories von Wegener, H. A. R., Doig, M. B., Marraffino, P., Robinson, B.

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A new mechanism of pipeline defect formation in CMOS devices von Belgal, H., Yuen, G., Grohs, J., Rozler, L., Gee, H., Broydo, S., Wegener, H.A.R., Owen, W., Drori, J.

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Radiation-hardened MNOS RAM technology von Marraffino, P., Newman, R., Wegener, H.A.R., Borovicka, M.B., Lewis, E.T., Lodi, R.J.

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MNOS-BORAM memory characteristics von Lodi, R.J., Wegener, H.A.R., Borovicka, M.B., Kosicki, B.B., Pogemiller, T.A., Eklund, M.W.

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A new insulated-gate silicon transistor von Tombs, N.C., Wegener, H.A.R., Newman, R., Kenney, B.T., Coppola, A.J.

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The variable-threshold transistor, a new electrically-alterable, nondestructive READ-only storage device von Wegener, H.A.R., Lincoln, A.J., Pao, H.C., O'Connell, M.R., Oleksiak, R.E., Lawrence, H.

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