-
1
-
2
Doping induced lattice misfit in 4H–SiC homoepitaxy
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
VolltextArtikel -
3
-
4
Operators at crossroads: Market protection or innovation?
Veröffentlicht in Telecommunications policy
VolltextArtikel -
5
-
6
-
7
-
8
-
9
-
10
-
11
Quality Aspects for the Production of SiC Bulk Crystals
Veröffentlicht in Materials science forum
VolltextArtikel -
12
-
13
-
14
Increase of SiC Substrate Resistance Induced by Annealing
Veröffentlicht in Materials science forum
VolltextArtikel -
15
-
16
-
17
Mobile service innovation: A European failure
Veröffentlicht in Telecommunications policy
VolltextArtikel -
18
-
19
-
20