-
1
-
2
-
3
-
4
-
5
Degradation mechanisms of 2 MeV proton irradiated AlGaN/GaN HEMTs
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
6
-
7
Proton Radiation-Induced Void Formation in Ni/Au-Gated AlGaN/GaN HEMTs
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
8
Degradation mechanisms of 2 MeV proton irradiated AlGaN/GaN HEMTs
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
9
Single-event phenomena in GaAs devices and circuits
Veröffentlicht in IEEE transactions on nuclear science
VolltextArtikel -
10
-
11
-
12
-
13
Historical perspective on radiation effects in III-V devices
Veröffentlicht in IEEE transactions on nuclear science
VolltextArtikel -
14
Reliability of GaN HEMTs: Electrical and Radiation-Induced Failure Mechanism
Veröffentlicht in ECS transactions
VolltextArtikel -
15
-
16
-
17
-
18
-
19
Modeling single-event effects in a complex digital device
Veröffentlicht in IEEE transactions on nuclear science
VolltextArtikel -
20